آنالیزِ تست Analyzetest

تجزیه و تحلیل آزمون های آزمایشگاهی رشته های دانشگاهی

آنالیزِ تست Analyzetest

تجزیه و تحلیل آزمون های آزمایشگاهی رشته های دانشگاهی






آنالیزِ تست Analyzetest
جهت تحلیل و آنالیز نتایج آزمون های آزمایشگاهی:
TGA
XRD
FTIR
Raman
UV-Vis
EIS
Polarization
Noise
XPS
SEM & TEM
EDS
Ellipsometry
Electroluminescence (EL) spectroscopy
photoluminescence (PL) spectroscopy
NMR
contact angle
DMA

با شماره تماس 09132050479 (جاوید) تماس حاصل نموده و یا از طریق تلگرام پیام ارسال فرمایید. همچنین می توانید به آدرس زیر ایمیل ارسال فرمایید:
javidparvar@gmail.com
در صورتی که در تحلیل یکی از آزمون های آزمایشگاهی تجربه و تبحر دارید با همین راه های ارتباطی و یا از قسمت استخدام آنالیزگر رزومه خود را ارسال فرمایید.
بایگانی

۱۵ مطلب در مهر ۱۳۹۷ ثبت شده است

filereader.php?p1=main_b7ba4fa86f350473e

با توجه به گوناگونی مفاهیم مرتبط با رفتار بین نمونه و الکترون، تکنیک های متعددی مرتبط با کار میکروسکوپ الکترونی عبوری وجود دارد. بر این اساس و جهت تصویرسازی در TEM، در ابتدا یک الگو با استفاده از پرتوهای عبوری و یا پراکنده شده، که با استفاده از دریچه‌ها انتخاب می‌شوند، تهیه شده و سپس تحت تاثیر عدسی های مناسب به منظور به دست آوردن تصویری با کنتراست بالا قرار می‌گیرد. این فرایند انتخاب پرتو، تکنیک هایی مانند اندازه گیری های میدان روشن و میدان تاریک و تصویربرداری با رزلوشن بالا (HR-TEM) را از یکدیگر تفکیک می کند. در این بین پراش الکترون یکی از مهمترین پدیده های است که در میکروسکوپ‌های الکترونی عبوری و در هنگام بررسی نمونه های بلوری اتفاق می‌افتد، که با بررسی آن طیف وسیعی از داده ها در مورد ویژگی های ساختاری مواد نشان داده خواهد شد.

فرایند جذب مادون قرمز:

تقریبا تمامی ترکیباتی که پیوند کوالانسی دارند، اعم از آلی یا معدنی ، فرکانسهای متفاوتی از اشعه الکترومغناطیسی را در ناحیه مادون قرمز طیف ، جذب میکنند.

مانند انواع دیگر جذب انرژی ، موقعی که مولکولها ، اشعه مادون قرمز را جذب میکنند، به حالت انرژی بالاتر برانگیخته میگردند. جذب تابش مادون قرمز مانند هر فرآیند جذب دیگر ، یک فرآیند کوانتایی است، بدین صورت که فقط فرکانسهایی مشخص از تابش مادون قرمز توسط مولکول جذب میگردد. جذب تابش مادون قرمز با تغییر انرژی بین (KJ/mol (8-40 همراه است.

تاریخچه:

در سال 1887 اثر فوتوالکتریک  توسط هانریش هرتز کشف شد،در سال 1905

اینشتین این مسئله را با استفاده از فیزیک کوانتم توضیح داد و جایزه نوبل 1921

را از آن خود کرد. در 1907 فردی به نام P.D.Innes با استفاده از لامپ کاتدیسیم پیچ هلمهلتز و میدان مغناطیسی نیمکره ای و فیلم عکاسی(برای ثبت اثر الکترونهای ساطع شده)  آزمایشی انجام داد که نتیجه آن ثبت اولین طیف سنجیXPS بود.

عوامل مؤثر بر شدت پیک:


از عواملی که بر شدت پیک ها در الگوهای پراش تأثیر گذار هستند می توان به موارد زیر اشاره کرد:


1- ماهیت نمونه مورد آزمون (تک فازی یا چند فازی بودن نمونه) بدین صورت که هرچقدر تعداد فازهای موجود در نمونه زیاد شود، از ماکسیمم شدت پیک الگوی پراش کاسته می شود. (به دلیل اثر گذاری فاکتور مقیاس است که در آینده توضیح داده خواهد شد.)

  • پراش پرتو ایکس (XRD) :

    ·         XRD یا همان پراش اشعه ایکس (X-RAY DIFFRACTION) تکنیکی قدیمی و پرکابرد در بررسی خصوصیات کریستال‌ها می‌باشد. در این روش از پراش اشعه ایکس توسط نمونه جهت بررسی ویژگی های نمونه استفاده می شود. XRD برای تعیین عموم کمیات ساختار کریستالی از قبیل ثابت شبکه، هندسه شبکه، تعیین کیفی مواد ناشناس، تعیین فاز کریستال‌ها، تعیین اندازه کریستا‌ل‌ها، جهت گیری تک کریستال، استرس، تنش، عیوب شبکه وغیره، قابل استفاده می‌باشددر این مقاله ابتدا با اساس کار XRD و سپس با اجزا XRD آشنا خواهیم شد.