در این پژوهش به منظور رشد عمودی نانولوله های کربنی از روش PECVD بر روی لایه ی سیلیکونی و بواسطه ی کاتالیست نیکل استفاده کردیم. لایه نشانی نقره به روش کندوپاش DC در ضخامت های 35، 60، 85 و 100 نانومتر بر بستر نانولوله های کربنی صورت پذیرفت. ساختار به دست آمده را با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) و روش طیف سنجی رامان مورد شناسایی و تغییرات ساختاری و خواص الکتریکی را مورد بررسی قرار دادیم.
طیف سنجی رامان یک تکنیک طیف سنجی مولکولی است (یعنی با شناسایی مولکول ها سر و کار دارد، نه اتمها) که کاربرد های متنوعی در زمینه های تحقیقاتی مختلف پیدا کرده است. تکنیک رامان بر خلاف سال های ابتدایی ابداعش، امروزه بسیار متداول شده و در علوم پایه و کاربردی استفاده فراوانی پیدا کرده است. در حقیقت تکنیک رامان کاربرد گسترده خود را مدیون پیشرفت های دستگاهی زیادی است که تاکنون در این زمینه پدید آمده و این تکنیک را بیش از پیش ساده تر، قابل دسترس تر و مقرون به صرفه تر کرده است. البته با وجود پیشرفت های به عمل آمده، هنوز در برخی موارد تفسیر یک طیف رامان دشوار بوده و نیازمند مهارت ویژه ای می باشد تا از تفسیر های نادرست اجتناب شود.
