روش تحلیل آزمون طیف سنجی فوتو الکترون پرتو ایکس (XPS)

طیف سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس، روشی به منظور بررسی سطح نمونه تا عمق حدود ۱۰۰ انگستروم از نظر آنالیز عنصری، ترکیب شیمیایی و تعیین حالت پیوندی است. با توجه به این نکته که انرژی جنبشی الکترونهای گسیل شده بر اثر یونیزاسیون یک ماده با فوتون تکفام پرتو ایکس مورد اندازه گیری قرار می گیرد، طیف فوتوالکترونهای آن ماده، بر مبنای تعداد الکترونهای گسیلی برحسب انرژی ترسیم می شود. انرژی فوتوالکترونهای هر نمونه آزمون، مشخصه ی اتم های تشکیل دهنده ی آن است، بنابراین اندازه گیری انرژی جنبشی این فوتوالکترونها معیاری برای تعیین عناصر موجود در آن نمونه است. شناسایی حالت شیمیایی و الکترونی عناصر ماده مانند تمایز قائل شدن بین اشکال سولفاتی و سولفیدی عنصر گوگرد از انحرافات اندکی در انرژی جنبشی و اندازه گیری میزان غلظت نسبی آن عنصر با توجه به شدت فوتوالکترون های مربوطه امکان پذیر است. از این روش در طیف وسیعی از صنایع چون هوافضا، الکترونیک، ارتباطات و حمل و نقل و غیره می توان بهره برد.

تحلیل کمی و کیفی داده‌های XRD

 می‌توان گفت مهم‌ترین بخش از آشنایی با XRD، تحلیل داده‌هایی است که در مورد مواد مختلف از طریق این روش به دست می‌آیند. روش‌هایی مانند رابطه‌ی براگ، روش دبای شرر و روش ویلیامسون‌هال از جمله روش‌های تحلیل کمی داده‌های XRD هستند که به کلیات آنها خواهیم پرداخت. اما قبل از تحلیل کمی، تحلیل کیفی داده‌های مربوط به ساختارهای کریستالی مختلف مواد را با هم بررسی می‌کنیم.

تفسیر و آنالیز طیف سنجی پراکندگی انرژی پرتو ایکس (EDX, Edax ,EDS)

شناسایی فاز های موجود در ریز ساختار ماده از طریق ترکیب شیمیایی، نقش به سزایی در شناخت و تعیین فاز های مجهول ایفا می کند. طیف سنجی پراکندگی انرژی پرتو ایکس (EDS) برای تجزیه و تحلیل ساختاری و آنالیز عناصر موجود در نمونه به کار می رود و با نصب آن بر روی میکروسکوپ های الکترونی می توان با مطالعه پرتو هاى بازگشتى از نمونه و تعیین پرتو ایکس مشخصه هر عنصر، با استفاده از قدرت تفکیک و قابلیت بزرگنمایى مختلف، آنالیز کیفى و کمى را بر روی طیف وسیعی از نمونه ها انجام داد. در این مقاله ضمن توضیح نحوه عملکرد و معرفی بخش های مختلف سیستم های EDS ،مزایا و معایب این روش به طور کامل شرح داده شده است.

عوامل موثر بر شدت پیک XRD

عوامل مؤثر بر شدت پیک:

از عواملی که بر شدت پیک ها در الگوهای پراش تأثیر گذار هستند می توان به موارد زیر اشاره کرد:

1- ماهیت نمونه مورد آزمون (تک فازی یا چند فازی بودن نمونه) بدین صورت که هرچقدر تعداد فازهای موجود در نمونه زیاد شود، از ماکسیمم شدت پیک الگوی پراش کاسته می شود. (به دلیل اثر گذاری فاکتور مقیاس است که در آینده توضیح داده خواهد شد.)

از صفر تا صد آزمون XRD

• پراش پرتو ایکس (XRD) :

  ·         XRD یا همان پراش اشعه ایکس (X-RAY DIFFRACTION) تکنیکی قدیمی و پرکابرد در بررسی خصوصیات کریستال‌ها می‌باشد. در این روش از پراش اشعه ایکس توسط نمونه جهت بررسی ویژگی های نمونه استفاده می شود. XRD برای تعیین عموم کمیات ساختار کریستالی از قبیل ثابت شبکه، هندسه شبکه، تعیین کیفی مواد ناشناس، تعیین فاز کریستال‌ها، تعیین اندازه کریستا‌ل‌ها، جهت گیری تک کریستال، استرس، تنش، عیوب شبکه وغیره، قابل استفاده می‌باشددر این مقاله ابتدا با اساس کار XRD و سپس با اجزا XRD آشنا خواهیم شد.